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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,929.1
16.2
写入速度,GB/s
2,978.2
13.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3209
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
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