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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,929.1
17.6
写入速度,GB/s
2,978.2
12.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2460
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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