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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
66
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
22
读取速度,GB/s
2,929.1
17.6
写入速度,GB/s
2,978.2
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3060
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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