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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,929.1
17.3
写入速度,GB/s
2,978.2
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3299
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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