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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.2
2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,929.1
22.2
写入速度,GB/s
2,978.2
17.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3871
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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