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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
66
左右 -187% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
23
读取速度,GB/s
2,929.1
16.2
写入速度,GB/s
2,978.2
11.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2579
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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