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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,929.1
13.8
写入速度,GB/s
2,978.2
9.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2456
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Corsair CMSO8GX3M1A1333C9 8GB
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 9905403-001.B00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
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