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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
66
左右 -83% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
36
读取速度,GB/s
2,929.1
15.0
写入速度,GB/s
2,978.2
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2946
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
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