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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
66
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
34
读取速度,GB/s
2,929.1
15.6
写入速度,GB/s
2,978.2
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3465
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
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