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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
66
左右 -175% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.5
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
24
读取速度,GB/s
2,929.1
13.9
写入速度,GB/s
2,978.2
6.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2113
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
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