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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
66
左右 -120% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
30
读取速度,GB/s
2,929.1
13.7
写入速度,GB/s
2,978.2
9.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2611
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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