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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 15.3
    测试中的平均数值
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 66
    左右 -214% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.0 left arrow 2,978.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 21
  • 读取速度，GB/s
    2,929.1 left arrow 15.3
  • 写入速度，GB/s
    2,978.2 left arrow 7.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    511 left arrow 2276

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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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内存RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
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内存RAM
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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内存RAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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Kingston 9965662-013.A01G 16GB
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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
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