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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
66
96
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
5.9
2,978.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
96
读取速度,GB/s
2,929.1
10.5
写入速度,GB/s
2,978.2
5.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
1211
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
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