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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
66
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
33
读取速度,GB/s
2,929.1
16.0
写入速度,GB/s
2,978.2
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
3082
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM的比较
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
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