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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
17.3
写入速度,GB/s
2,076.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3422
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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