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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,723.5
19.9
写入速度,GB/s
2,076.1
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
4150
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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