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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,723.5
16.0
写入速度,GB/s
2,076.1
12.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3071
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
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