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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,723.5
17.6
写入速度,GB/s
2,076.1
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3476
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
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