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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,723.5
17.9
写入速度,GB/s
2,076.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3618
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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