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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,723.5
16.8
写入速度,GB/s
2,076.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2990
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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