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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,723.5
19.9
写入速度,GB/s
2,076.1
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3732
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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