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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,723.5
16.7
写入速度,GB/s
2,076.1
14.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3598
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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