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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
18.1
写入速度,GB/s
2,076.1
14.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3418
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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