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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,723.5
16.8
写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3246
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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