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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,723.5
14.8
写入速度,GB/s
2,076.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2652
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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