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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
51
59
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
51
读取速度,GB/s
4,723.5
15.7
写入速度,GB/s
2,076.1
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2597
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
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