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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
59
左右 -195% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
20
读取速度,GB/s
4,723.5
20.0
写入速度,GB/s
2,076.1
17.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3703
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 99U5471-047.A00LF 8GB
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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