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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,723.5
17.5
写入速度,GB/s
2,076.1
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3529
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RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
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