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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
18.2
写入速度,GB/s
2,076.1
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3580
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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