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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
11.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
11.5
写入速度,GB/s
2,076.1
10.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2462
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
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