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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
59
左右 -103% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
29
读取速度,GB/s
4,723.5
19.3
写入速度,GB/s
2,076.1
15.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3557
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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