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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
17.5
写入速度,GB/s
2,076.1
13.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3309
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
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