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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,723.5
17.3
写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3023
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X300KG-HYA 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
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