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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9905700-017.A00G 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
59
左右 -111% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
28
读取速度,GB/s
4,723.5
16.3
写入速度,GB/s
2,076.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2790
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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