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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9905743-045.A00G 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,723.5
15.4
写入速度,GB/s
2,076.1
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3147
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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