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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston 9965589-008.D02G 8GB

总分
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

总分
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB 需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston 9965589-008.D02G 8GB 需要考虑的原因
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    36 left arrow 59
    左右 -64% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 2,076.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 6400
    左右 2.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    4,723.5 left arrow 9.7
  • 写入速度，GB/s
    2,076.1 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    741 left arrow 1789

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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Kingston K821PJ-MIH 16GB
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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