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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,723.5
16.1
写入速度,GB/s
2,076.1
11.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2867
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
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