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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
59
左右 -181% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
21
读取速度,GB/s
4,723.5
15.3
写入速度,GB/s
2,076.1
7.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2276
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
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