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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,723.5
14.3
写入速度,GB/s
2,076.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2201
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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