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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,723.5
15.0
写入速度,GB/s
2,076.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2892
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
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