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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
75
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
75
读取速度,GB/s
4,723.5
13.6
写入速度,GB/s
2,076.1
7.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
1457
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
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