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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,723.5
16.2
写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
3116
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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