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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.5
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,723.5
14.2
写入速度,GB/s
2,076.1
9.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2470
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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