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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
59
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
38
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2283
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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