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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,723.5
15.5
写入速度,GB/s
2,076.1
8.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2414
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
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