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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
52
59
左右 -13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.5
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
52
读取速度,GB/s
4,723.5
10.1
写入速度,GB/s
2,076.1
7.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2176
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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