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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,723.5
16.2
写入速度,GB/s
2,076.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2908
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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