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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
59
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
53
读取速度,GB/s
4,723.5
20.0
写入速度,GB/s
2,076.1
9.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2366
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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