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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
62
左右 -148% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
25
读取速度,GB/s
4,216.7
15.4
写入速度,GB/s
1,658.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2786
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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