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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
62
左右 -138% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,658.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
26
读取速度,GB/s
4,216.7
16.0
写入速度,GB/s
1,658.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
688
2793
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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